二极管参数
反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温(25℃)和高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,肖特基二极管正极,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,肖特基二极管替换,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,福建肖特基二极管,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
点接触型
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,肖特基二极管生产,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。
面接触型
面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的,由于这种二极管的PN结面积大,可承受较大电流,但极间电容也大。这类器件适用于整流,而不宜用于高频率电路中。
Diodes在普莱诺、加利福尼亚州苗必达市、台北、桃园市、竹北市、英国曼切斯特和德国诺伊豪斯等均设有设计、市场及工程中心。在密苏里州堪萨斯城及曼切斯特设有晶圆制造厂,据悉另有一座设于中国上海。
二三极管,保险丝,灯珠,可控硅,压敏,MOS管
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