电子陶瓷/精细陶瓷（装置瓷如Al₂O₃、滑石瓷、钛酸盐介质瓷等）的介电常数（εᵣ，相对介电常数/介电permittivity）检测与介质损耗角正切通常合并测试，依据：
产品及专项方法：GB/T 5594.2-1985（2004复审）《电子陶瓷材料介质损耗角正切值和介电常数的测试方法》，电子结构瓷验收引用此标准
通用固体介质：GB/T 1409-2006 / IEC60250《测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波长在内）下介电性能试验方法》
产品标准关联：GB/T 5593-2018《电子元器件结构瓷材料》第4.5条要求按GB/T 5594.2测 εᵣ 和tanδ
项目
要求/说明
试样形状尺寸 | 圆片状：直径 Φ30～50mm，厚度d=1～3mm（厚径比1:10～1:20）；两面被完整电极（烧渗Ag浆/溅射Au/Al），边缘留0.5～1mm间隙防沿面放电；表面Ra≤0.8μm无气孔裂纹 |
电极要求 | 低阻连续电极，高频测试推荐烧渗Ag或溅射Au；接触式平板电极（弹簧压紧）也可用但引入接触电容误差 |
测试频率 | 常规装置瓷验收1MHz±10%；高频微波陶瓷可测1kHz/10kHz/100kHz/10MHz多频点；微波介质用谐振腔法（Hakki-Coleman） |
测试温度 | 通常(20±2)℃或(25±1)℃，必要时测εᵣ–T曲线(−55～+125℃) |
仪器 | 高精度LCR表/阻抗分析仪/Q表，频率覆盖测试点，校准开路/短路/负载；εᵣ较低（<15）时用电容法C=C_meas·修正，高εᵣ用平行板公式 |
计算公式 | εᵣ = C·d / (ε₀·A) |
结果表达 | 给出 εᵣ（各平行样均值±范围），并行报告 tanδ；注明频率/温度/电极方式 |
陶瓷材料
εᵣ (1MHz)
典型应用
95% Al₂O₃瓷 | 8.6～9.5 | 装置瓷/基片/绝缘件 |
99% Al₂O₃瓷 | 9.8～10.2 | 高纯结构件 |
滑石瓷(MgO·SiO₂) | 5.5～7.0 | 低介低频装置瓷 |
堇青石瓷 | 4.5～5.5 | 低介耐热 |
TiO₂介质瓷 | 80～100 | 介质谐振/补偿 |
BaTiO₃基金属陶瓷(块体) | 1000～3000+ | 铁电/MLCC芯材 |
AlN基板(高纯) | 8.5～9.0 | 高热导绝缘 |
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